TekBox TBMDA-CDN25 Amplificateur de puissance large bande modulé
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TekBox TBMDA-CDN25 Amplificateur de puissance large bande modulé

  • 2.999,00€

  • Prix Hors Taxes


L'amplificateur modulé TekBox TBMDA-CDN25 fournit la puissance, la bande passante et la modulation nécessaires pour les tests d'immunité conduits utilisant des CDN et des sondes BCI dans la plage de fréquences de 100 kHz à 250 MHz. Il est conçu pour être piloté par des générateurs de signaux ou par des générateurs de poursuite d'analyseurs de spectre. Avec un point de compression de 1 dB allant jusqu'à 25 W dans la plage de fréquences de 100 kHz à 250 MHz, il peut générer des niveaux de test de classe 1, classe 2, classe 3 et classe X selon la norme ISO / EN 61000-4-6. Un modulateur AM / PM intégré permet l'utilisation de générateurs de poursuite comme source de signal. Le TBMDA-CDN25 a un gain suffisant pour atteindre la puissance de sortie maximale avec 0 dBm fourni par un générateur de poursuite d'analyseur de spectre.
En plus de l'AM à 1 kHz à 80%, le TBMDA-CDN25 offre une capacité de modulation intégrée pour générer des signaux PM à 1 kHz et à 50% de cycle utile. En mode PM, le TBMDA-CDN25 peut également générer un signal à 217 Hz avec un cycle de service de 12,5% pour simuler le bruit TDMA des téléphones mobiles.

Caractéristiques :

  • Amplificateur en CW (sans modulation)
  • Modulation AM à 1 kHz, 80%
  • Modulation par impulsions à 1 kHz, avec un cycle utile de 50%
  • Modulation par impulsions à 217 Hz, avec un cycle utile de 12,5%

Spécifications :

  • Entrée / Sortie: 50 Ohms, connecteur N femelle
  • Plage de tension d'alimentation: 110 V…240 V
  • Consommation électrique: 108 W @ 220V
  • Plage de température de fonctionnement: -20°C à 50°C
  • Plage de fréquence: 100 kHz – 250 MHz
  • Gain en petit signal: 47 dB typ.
  • Planéité de gain de 100 kHz à 250 MHz / Pin = -3 dBm: 3.5 dB typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 100 kHz / Pin = 0 dBm: 44.1 dBm (25.7 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 44.6 dBm (28.8 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 45.1 dBm (32.4 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 45.3 dBm (33.9 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 45.3 dBm (33.9 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 50 MHz / Pin = 0 dBm: 45.6 dBm (36.3 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 80 MHz / Pin = 0 dBm: 46.6 dBm (45.7 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 46.5 dBm (44.7 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 150 MHz / Pin = 0 dBm: 44.5 dBm (28.2 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 200 MHz / Pin = 0 dBm: 43.8 dBm (24 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 230 MHz / Pin = 0 dBm: 44.9 dBm (30.9 W) typ.
  • Puissance de sortie saturée @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 44.8 dBm (30.2 W) typ.
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 100 kHz: +43.7 dBm typ. (Pin: -5 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 150 kHz: +44.1 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 500 kHz: +44.6 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 1 MHz: +45 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 10 MHz: +45 dBm typ. (Pin: -2 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 50 MHz: +45.6 dBm typ. (Pin: 1 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 80 MHz: +46.5 dBm typ. (Pin: 1 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 100 MHz: +46.5 dBm typ. (Pin: 0 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 150 MHz: +42.9 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 200 MHz: +42.2 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 230 MHz: +44.1 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
  • Point de compression de sortie à 1 dB @ 250 MHz: +43 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
  • 2ème harmonique, 100 MHz, Pout=46 dBm: < – 12 dBc typ.
  • 2ème harmonique, 100 MHz, Pout=40 dBm: < – 15 dBc typ.
  • 3ème harmonique, 100 MHz, Pout=46 dBm: < – 22 dBc typ.
  • 3ème harmonique, 100 MHz, Pout=40 dBm: < – 22 dBc typ.

Distorsion harmonique totale :

  • 17,7 % @100 MHz, Pout=37 dBm typ.
  • 19,6 % @100 MHz, Pout=40 dBm typ.
  • 22,1 % @100 MHz, Pout=43 dBm typ.
  • 26,9 % @100 MHz, Pout=46 dBm typ.
  • Troisième point d'interception de sortie d'ordre : +51 dBm, @100 MHz, ∆ f = 2 MHz, typ.
  • Fréquence de modulation interne AM : 1 kHz ±20 %
  • Fréquences de modulation internes PM : 1 kHz ±20 %, 217 Hz ±20 %
  • Cycle de service, PM : 50 % ±10 % @ 1 kHz ; 12,5 % ±20 % @ 217 Hz

Limites maximales :
Puissance d'entrée maximale : +3 dBm
La sortie du TBMDA-CDN25 est assez tolérante vis-à-vis du déséquilibre de sortie, cependant, il n'est pas recommandé d'avoir une charge ouverte ou court-circuitée, car cela pourrait potentiellement endommager le transistor de sortie. Lors de la connexion de sondes de champ proche, de sondes de courant ou de toute charge d'impédance inconnue, il est fortement recommandé d'insérer un atténuateur ≥ 3 dB à la sortie de l'amplificateur afin de protéger l'étage de sortie.


Application :

  • Amplificateur de puissance RF à large bande à usage général
  • Amplificateur de puissance RF à large bande pour les tests d'immunité conduits pilotant des CDN ou des sondes BCI
  • Amplificateur de puissance RF à large bande pour les tests d'immunité rayonnée, pilotant des sondes de champ proche
  • Amplificateur de puissance RF à large bande pour les tests d'immunité rayonnée, pilotant des cellules TEM

AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE RF MODULÉS

Modèle TBMDA1 TBMDA2 TBMDA3B TBMDA4B TBMDA5 TBLPA1 TBMDA-CDN25 TBMDA-BCI25
Plage de fréquences 40MHz-3GHz 10MHz-1,5GHz 10MHz-1GHz 100kHz-75MHz 150kHz-1GHz 10MHz-1GHz 150kHz-250MHz 1MHz-400MHz
Puissance de sortie 150 mW 0,5 W 8 W 5 W 2,5 W 1 W 25 W 25 W
Modulateur AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
- AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
AM,1kHz,80%,
PM,1kHz,50%,
PM,217Hz,12.5%
Gain 22 dB 43 dB 42 dB 48 dB 38 dB 37 dB 47 dB 47 dB
Application Tests d'immunité en cellules TEM Tests d'immunité en cellules TEM Tests d'immunité en cellules TEM Tests d'immunité en cellules TEM Tests d'immunité en cellules TEM ou avec des CDN selon la norme EN 61000-4-6 Usage général Tests d'immunité avec des CDN ou des sondes BCI selon la norme EN 61000-4-6 Tests d'immunité avec des sondes BCI selon la norme EN 61000-4-6
Niveaux de contrainte max TBTC0: 100 V/m
TBTC1: 56 V/m
TBTC2: 28 V/m
TBTC3: 18V/m
TBTC0: 178 V/m
TBTC1: 100 V/m
TBTC2: 50 V/m
TBTC3: 33 V/m
TBTC0: 711 V/m
TBTC1: 398 V/m
TBTC2: 199 V/m
TBTC3: 132 V/m
TBTC0: 565 V/m
TBTC1: 316 V/m
TBTC2: 158 V/m
TBTC3: 105 V/m
Niveau 1
Niveau 2 (fréq. limitée)
- Niveau 1
Niveau 2
Niveau 3
Méthode de substitution: Niveau I (AM, CW)
Niveau II (AM, CW)
Niveau III (CW)
Niveau IV (CW)
Alimentation USB USB Secteur 100 - 240V AC Secteur 100 - 240V AC Secteur 100 - 240V AC Secteur 100 - 240V AC Secteur 100 - 240V AC Secteur 100 - 240V AC

TBMDA-CDN25 Manual

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